Простий
пошук
Розширений
пошук
Покажчики
Професійний
пошук
Рубрикатор
НБУВ
Розподілений
пошук

Бази даних

Наукова періодика України - результати пошуку

Книжкові видання та компакт-диски
Журнали та продовжувані видання
Автореферати дисертацій
Реферативна база даних
Наукова періодика України
Тематичний навігатор
Авторитетний файл імен осіб
Mozilla Firefox Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер
"Mozilla Firefox"
Вид пошуку
Повнотекстовий пошук
 Знайдено в інших БД:Книжкові видання та компакт-диски (1)Автореферати дисертацій (1)Реферативна база даних (6)
Список видань за алфавітом назв:
A  B  C  D  E  F  G  H  I  J  L  M  N  O  P  R  S  T  U  V  W  
А  Б  В  Г  Ґ  Д  Е  Є  Ж  З  И  І  К  Л  М  Н  О  П  Р  С  Т  У  Ф  Х  Ц  Ч  Ш  Щ  Э  Ю  Я  

Авторський покажчик    Покажчик назв публікацій


Пошуковий запит: (<.>A=Семікіна Т$<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 3
Представлено документи з 1 до 3
1.

Венгер Є. Ф. 
Дослідження методами ІЧ-спектроскопії тонких плівок оксиду цинку, вирощених методом АПО [Електронний ресурс] / Є. Ф. Венгер, Л. Ю. Мельничук, О. В. Мельничук, Т. В. Семікіна // Український фізичний журнал. - 2016. - Т. 61, № 12. - С. 1059-1066. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/UPhJ_2016_61_12_5
Уперше за допомогою методу ІЧ-відбивання та модифікованого методу порушеного повного внутрішнього відбивання (ППВВ) теоретично та експериментально досліджено прозорі провідні нелеговані плівки ZnO, вирощені з використанням методу атомного пошарового осадження (АПО) в області частот 400 - 1400 см<^>-1. Одержані зі спектрів ІЧ-відбивання параметри плівки ZnO вказують на наявність у спектрах ППВВ частотних "вікон", в яких збуджуються поверхневі фононні та плазмон-фононні поляритони. Теоретичні розрахунки задовільно узгоджуються з експериментальними результатами. Побудовано та досліджено дисперсійні залежності високо- та низькочастотної гілок спектрів ППВВ.
Попередній перегляд:   Завантажити - 827.378 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
2.

Семікіна Т. В. 
Технологія отримання та властивості CdS/CdTe сонячних елементів з використанням метода квазізамкненого простору [Електронний ресурс] / Т. В. Семікіна // Український фізичний журнал. - 2018. - Т. 63, № 2. - С. 156-167. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/UPhJ_2018_63_2_12
Попередній перегляд:   Завантажити - 954.415 Kb    Зміст випуску     Цитування
3.

Павелець С. Ю. 
Сенсори ультрафіолетового випромінювання на основі твердих розчинів ZnxCd1 – xS [Електронний ресурс] / С. Ю. Павелець, Ю. М. Бобренко, Т. В. Семікіна, Б. С. Атдаев, Г. Г. Шереметова, М. В. Ярошенко // Український фізичний журнал. - 2019. - Т. 64, № 4. - С. 306-312. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/UPhJ_2019_64_4_9
Використання надтонкої (-10 нм) стабільної плівки p-Cu1,8S в ролі прозорої складової поверхнево-бар'єрної структури, а також варізонних шарів (ВШ) дозволило одержати ефективні напівпровідникові сенсори на основі твердих розчинів (ТР) Zn0,6Cd0,4S та Zn0,7Cd0,3S. В ролі підкладок для епітаксійного вирощування ТР використовуються шари n-CdS. Проблема одержання низькоомних полікристалічних шарів ZnxCd1-xS, створення до них омічних контактів, а також узгодження граток ТР з матеріалом підкладки вирішується шляхом використання проміжних варізонних шарів. На основі гетероструктури з використанням скляних фільтрів одержані селективний сенсор УФ-А діапазону (ТР Zn0,7Cd0,3S), а також сенсори, чутливість яких відповідає пігментаційній області сонячного випромінювання (фіолетово-блакитна область). Побудовано енергетичні зонні діаграми багатошарової гетероструктури, приведено результати оже-спектроскопічних досліджень і досліджень основних електричних і фотоелектричних властивостей сенсорів.Використання надтонкої (-10 нм) стабільної плівки p-Cu1,8S в ролі прозорої складової поверхнево-бар'єрної структури, а також варізонних шарів (ВШ) дозволило одержати ефективні напівпровідникові сенсори на основі твердих розчинів (ТР) Zn0,6Cd0,4S та Zn0,7Cd0,3S. В ролі підкладок для епітаксійного вирощування ТР використовуються шари n-CdS. Проблема одержання низькоомних полікристалічних шарів ZnxCd1-xS, створення до них омічних контактів, а також узгодження граток ТР з матеріалом підкладки вирішується шляхом використання проміжних варізонних шарів. На основі гетероструктури з використанням скляних фільтрів одержані селективний сенсор УФ-А діапазону (ТР Zn0,7Cd0,3S), а також сенсори, чутливість яких відповідає пігментаційній області сонячного випромінювання (фіолетово-блакитна область). Побудовано енергетичні зонні діаграми багатошарової гетероструктури, приведено результати оже-спектроскопічних досліджень і досліджень основних електричних і фотоелектричних властивостей сенсорів.
Попередній перегляд:   Завантажити - 676.718 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
 
Відділ наукової організації електронних інформаційних ресурсів
Пам`ятка користувача

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського